Tepelně vodivý materiál z karbidu křemíku

Tepelná vodivost materiálů SiC, stejně jako většiny dielektrických pevných látek, je ovlivněna především přenosem termoelastických vln (nazývaných fonony). Tepelná vodivost materiálů SiC závisí především na: 1) množství slinovacích pomocných látek, stechiometrickém poměru, chemických vlastnostech a související tloušťce hranic zrn a krystalinitě; 2) Velikost zrna; 3) Typy a koncentrace atomů nečistot v krystalech SiC; 4) Slinovací atmosféra; 5) Tepelné zpracování po slinování atd. SiC má vynikající vlastnosti, jako je vysoká tepelná vodivost, velká šířka bandgap, vysoká rychlost migrace elektronového nasycení a vysoké kritické průrazné elektrické pole. Jeho vynikající komplexní výkon kompenzuje nedostatky tradičních polovodičových materiálů a zařízení v praktických aplikacích a má široké uplatnění v oblastech, jako jsou elektrická vozidla a mobilní komunikační čipy. Díky své vyšší spolehlivosti, vyšší provozní teplotě, menší velikosti a vyšší napěťové odolnosti lze SiC aplikovat na napájecí zařízení, jako jsou hlavní desky pohonů, palubní nabíječky a napájecí moduly, což výrazně zlepšuje účinnost a zvyšuje výdrž elektrických vozidel. . Současně má SiC dobrou tepelnou vodivost a použití polovodičových napájecích zařízení SiC může snížit velikost baterie a efektivněji přeměnit energii, čímž se sníží náklady na montážní zařízení. SiC keramika jako vysoce výkonný konstrukční keramický materiál má vynikající tepelné vlastnosti a může být široce používána v průmyslových oblastech s vysokou teplotní odolností, ohřevem a výměnou tepla.